快科技12月29日新闻，长鑫存储低调推出DDR5内存以来，更多内情被发掘出来，好新闻也是接连一直，乃至第二代HBM2高带宽内存也有了严重冲破。据花旗银行的剖析讲演，长鑫现在在DDR4上的初期良品率只有20-30％，成熟后到达了90％。得益于DDR4上的丰盛教训，长鑫DDR5从一开端的良品率就有40％，现在稳固在80％阁下，并且还在持续改良，估计到来岁底能够晋升到90％阁下。长鑫现在在合肥有两座内存工场，Fab 1重要出产DDR4，应用的是19nm工艺，每月产能约10万块晶圆。Fab 2专一于DDR5，用的是17nm工艺，以后月产能大略5万块晶圆，还在连续晋升中，估计到来岁可翻一番。固然，三星、SK海力士等的DDR5内存曾经进级到12nm工艺，以是长鑫仍有很年夜的晋升空间。别的，长鑫还在鼎力推动HBM高带宽内存，一方面晋升一代HBM的产能，另一方面二代HBM2曾经获得严重冲破，正在给客户送样，估计来岁年中可小范围量产。固然三年夜原厂曾经量产HBM3、HBM3E，并行将推出HBM4，但对长鑫来说，能搞定HBM2依然是里程碑式的，对国产化AI硬件的开展至关主要，比方华为昇腾910系列减速器就依附于HBM2。依据新近报道，长鑫从往年第三季度就开端洽购HBM2出产装备，尤其是须要更进步的封装技巧，波及TSV、KGSD等等。【本文停止】如需转载请务必注明出处：快科技义务编纂：上方文Q文章内容告发 ]article_adlist--> 　　申明：新浪网独家稿件，未经受权制止转载。 -->