寰球公认的出色的模仿/混杂旌旗灯号晶圆代工场X-FAB Silicon Foundries克日发布一项非易掉性存储范畴的严重翻新。该翻新应用X-FAB同类最佳的SONOS技巧：基于其高压BCD-on-SOI XT011这一110nm工艺节点平台，X-FAB可为客户供给合乎AECQ100 Grade-0尺度的32kByte容量嵌入式闪存IP，并装备额定的4Kbit EEPROM。别的，从2025年起，X-FAB还打算推出更年夜容量的64KByte、128KByte闪存以及更年夜存储空间的EEPROM。本文援用地点：经由过程采取奇特的方式，将闪存跟EEPROM元件都置于单个宏单位内，并共享须要的把持电路。这象征着应用更简略的规划从而增加组合元件的总体占用面积，并为支撑Grade-0，175°C的32KBytes存储处理计划设定了新的行业基准。该嵌入式闪存为客户带来市场上开始进的数据拜访才能，可能在全部-40°C至175°C温度范畴内读取数据，而EEPROM也能在高达175°C的温度下写入数据。EEPROM实用于须要频仍写入数据的利用，可进步闪存的耐用性与机动性；它还能够无效地充任缓存，在任务前提不合适写入闪存时将数据编程至EEPROM，而后当温度降至125°C以下时再写入闪存。得益于杰出的持重性、连续的数据存储完全性跟明显的空间节俭，该IP旨在满意汽车、医疗跟产业利用的需要。这款新型NVM组合IP采取64位总线，闪存元件采取8位ECC，EEPROM元件采取14位ECC，这使得集成该IP所安排的器件实现零PPM偏差机能。用于轻松拜访存储器跟DFT的公用电路可年夜幅收缩测试时光，并将相干本钱降至最低。若有须要，X-FAB还可供给BIST模块跟测试效劳。X-FAB法国无尘室“经由过程这款采取咱们专有SONOS技巧的新型NVM IP，X-FAB实现了最高水准的牢靠性。这一IP将为咱们客户的嵌入式体系供给一流的数据坚持才能跟温度稳固性。”X-FAB NVM开辟总监Thomas Ramsch先容说，“经由过程将闪存跟EEPROM两种差别的NVM元件集成到单个宏单位上，咱们当初能够构建一种可能应答最严苛的任务情形的嵌入式数据存储处理计划。”“凭仗更小的占用空间跟更快的拜访速率，咱们的NVM组合IP将在高逻辑密度利用的开辟中施展要害感化。”X-FAB NVM处理计划技巧营销司理Nando Basile弥补道，“这将使下一代智能传感器跟履行器CPU体系计划无论是在ARM或RISC-V等成熟CPU架构上，仍是在客户的专有计划中具有更普遍的功效范畴。”缩略语：BCD   Bipolar-CMOS-DMOS ：双极型晶体管-互补金属氧化物半导体-双分散金属氧化物半导体NVM   Non-Volatile-Memory：非易掉性存储BIST   Build-In Self-Test：内建自测试DFT   Design for Testability：可测性计划ECC   Error Checking and Correcting：过错检讨跟改正EEPROM   带电可擦可编程只读存储器PPM   百万分率SOI   绝缘体上硅SONOS  Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅 　　申明：新浪网独家稿件，未经受权制止转载。 -->